SI4618DY-T1-E3
PDF資料下載

SI4618DY-T1-E3參數(shù)：MOSFET N-CH DUAL 30V 8-SOIC

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 陣列
標(biāo)準(zhǔn)包裝：2,500
系列：TrenchFET®
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：2 個(gè) N 溝道（雙）
FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓 (Vdss)：30V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)）：6.7A，11.4A
不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：17 毫歐 @ 8A，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 1mA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：44nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：1535pF @ 15V
功率 - 最大值：1.38W，2.35W
安裝類型：表面貼裝
封裝：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應(yīng)商器件封裝：8-SOIC N