SI4686DY-T1-E3
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SI4686DY-T1-E3參數(shù)：MOSFET N-CH 30V 18.2A 8-SOIC

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
標(biāo)準(zhǔn)包裝：2,500
系列：TrenchFET®
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓 (Vdss)：30V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：18.2A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：9.5 毫歐 @ 13.8A，10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250µA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：26nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：1220pF @ 15V
功率 - 最大值：5.2W
安裝類型：表面貼裝
封裝：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應(yīng)商器件封裝：8-SOIC N