SI4622DY-T1-GE3
PDF資料下載

SI4622DY-T1-GE3參數：MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC

類別：分立半導體產品-FET - 陣列
標準包裝：2,500
系列：SkyFET®, TrenchFET®
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：2 個 N 溝道（雙）
FET 功能：標準
漏源極電壓 (Vdss)：30V
電流 - 連續漏極 (Id)（25° C 時）：8A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：16 毫歐 @ 9.6A，10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 1mA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：60nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：2458pF @ 15V
功率 - 最大值：3.3W，3.1W
安裝類型：表面貼裝
封裝：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應商器件封裝：8-SOIC N