SI4532DY
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SI4532DY參數(shù)：MOSFET N/P-CH DUAL 30V SO-8

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 陣列
產(chǎn)品培訓(xùn)模塊： HighVoltageSwitchesforPowerProcessing
PCNDesign/Specification： MoldCompound12/Dec/2007
標(biāo)準包裝：2,500
系列：-
包裝：帶卷(TR)
FET類型：N和P溝道
FET功能：標(biāo)準
漏源極電壓(Vdss)：30V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：3.9A，3.5A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：65毫歐@3.9A，10V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：3V@250µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：15nC@10V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：235pF@10V
功率-最大值：900mW
安裝類型：表面貼裝
封裝：8-SOIC（0.154"，3.90mm寬）
供應(yīng)商器件封裝：SO-8