SI4511DY-T1-E3參數(shù)：MOSFET N/P-CH 20V 8-SOIC
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 陣列標(biāo)準(zhǔn)包裝：2,500系列：TrenchFET®包裝：帶卷 (TR)FET 類型：N 和 P 溝道FET 功能：邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss)：20V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)）：7.2A，4.6A不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：14.5 毫歐 @ 9.6A，10V不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：1.8V @ 250µA不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：18nC @ 4.5V不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：-功率 - 最大值：1.1W安裝類型：表面貼裝封裝：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應(yīng)商器件封裝：8-SOIC N
<strike id="asowm"></strike>
<button id="asowm"></button>
