SI4500BDY-T1-E3參數(shù)：MOSFET N/P-CH HALF BRG 20V 8SOIC
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 陣列標(biāo)準(zhǔn)包裝：2,500系列：TrenchFET®包裝：帶卷 (TR)FET 類型：N 和 P 溝道FET 功能：邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss)：20V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：6.6A，3.8A不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：20 毫歐 @ 9.1A，4.5V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250µA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：17nC @ 4.5V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：-功率 - 最大值：1.3W安裝類型：表面貼裝封裝：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應(yīng)商器件封裝：8-SOIC N
