SI4501ADY-T1-E3參數：MOSFET N/P-CH HALF BRG 8SOIC
類別：分立半導體產品-FET - 陣列標準包裝：2,500系列：TrenchFET®包裝：帶卷 (TR)FET 類型：N 和 P 溝道FET 功能：邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss)：30V，8V電流 - 連續漏極 (Id)（25° C 時）：6.3A，4.1A不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：18 毫歐 @ 8.8A，10V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：1.8V @ 250µA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：20nC @ 5V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：-功率 - 最大值：1.3W安裝類型：表面貼裝封裝：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商器件封裝：8-SOIC N
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