SI4425DDY-T1-GE3
PDF資料下載

SI4425DDY-T1-GE3參數(shù)：MOSFET P-CH D-S 30V 8-SOIC

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
標準包裝：2,500
系列：TrenchFET®
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 功能：標準
漏源極電壓 (Vdss)：30V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：19.7A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：9.8 毫歐 @ 13A，10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250µA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：80nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：2610pF @ 15V
功率 - 最大值：5.7W
安裝類型：表面貼裝
封裝：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應(yīng)商器件封裝：8-SOIC N