SI4401DDY-T1-GE3參數(shù)：MOSFET P-CH 40V 8-SOIC
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單標(biāo)準(zhǔn)包裝：2,500系列：TrenchFET®包裝：帶卷 (TR)FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)漏源極電壓 (Vdss)：40V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：16.1A不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：15 毫歐 @ 10.2A，10V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250µA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：95nC @ 10V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：3007pF @ 20V功率 - 最大值：6.3W安裝類型：表面貼裝封裝：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應(yīng)商器件封裝：8-SOIC N
