SI4286DY-T1-GE3
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SI4286DY-T1-GE3參數(shù)：MOSFET DUAL N-CHAN 40V SO-8

類別：分立半導體產(chǎn)品-FET - 陣列
標準包裝：2,500
系列：TrenchFET®
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：2 個 N 溝道（雙）
FET 功能：邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss)：40V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：7A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：32.5 毫歐 @ 8A，10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250µA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：10.5nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：375pF @ 20V
功率 - 最大值：2.9W
安裝類型：表面貼裝
封裝：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應(yīng)商器件封裝：8-SO