SI4230DY-T1-GE3參數(shù)：MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 陣列標(biāo)準(zhǔn)包裝：2,500系列：TrenchFET®包裝：帶卷 (TR)FET 類型：2 個(gè) N 溝道（雙）FET 功能：邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss)：30V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)）：8A不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：20.5 毫歐 @ 8A，10V不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250µA不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：25nC @ 10V不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：950pF @ 15V功率 - 最大值：3.2W安裝類型：表面貼裝封裝：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應(yīng)商器件封裝：8-SOIC N
