SI4190DY-T1-GE3參數(shù)：MOSFET N-CH 100V 8-SOIC
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單特色產(chǎn)品： ThunderFET?標(biāo)準(zhǔn)包裝：2,500系列：TrenchFET®包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：標(biāo)準(zhǔn)漏源極電壓(Vdss)：100V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：20A不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：8.8毫歐@15A，10V不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：2.8V@250µA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：58nC@10V不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：2000pF@50V功率-最大值：7.8W安裝類型：表面貼裝封裝：8-SOIC（0.154"，3.90mm寬）供應(yīng)商器件封裝：8-SOICN
