SI3900DV-T1-E3參數：MOSFET N-CH DUAL 20V 2.0A 6-TSOP
類別：分立半導體產品-FET - 陣列標準包裝：3,000系列：TrenchFET®包裝：帶卷 (TR)FET 類型：2 個 N 溝道（雙）FET 功能：邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss)：20V電流 - 連續漏極 (Id)（25° C 時）：2A不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：125 毫歐 @ 2.4A，4.5V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250µA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：4nC @ 4.5V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：-功率 - 最大值：830mW安裝類型：表面貼裝封裝：6-TSOP（0.065"，1.65mm 寬）供應商器件封裝：6-TSOP
