SI3911DV-T1-E3參數(shù)：MOSFET P-CH DUAL 20V 1.8A 6TSOP
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 陣列標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000系列：TrenchFET®包裝：帶卷 (TR)FET 類型：2 個 P 溝道（雙）FET 功能：邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss)：20V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：1.8A不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：145 毫歐 @ 2.2A，4.5V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：450mV @ 250µA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：7.5nC @ 4.5V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：-功率 - 最大值：830mW安裝類型：表面貼裝封裝：6-TSOP（0.065"，1.65mm 寬）供應(yīng)商器件封裝：6-TSOP
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