SI3585DV-T1-E3
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SI3585DV-T1-E3參數(shù)：MOSFET N/P-CH 20V 2A/1.5A 6-TSOP

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 陣列
標準包裝：3,000
系列：TrenchFET®
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：N 和 P 溝道
FET 功能：邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss)：20V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：2A，1.5A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：125 毫歐 @ 2.4A，4.5V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：600mV @ 250µA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：3.2nC @ 4.5V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：-
功率 - 最大值：830mW
安裝類型：表面貼裝
封裝：6-TSOP（0.065"，1.65mm 寬）
供應(yīng)商器件封裝：6-TSOP