SI3552DV-T1-E3參數:MOSFET N/P-CH 30V 2.5/1.8A 6TSOP
類別:分立半導體產品-FET - 陣列標準包裝:3,000系列:TrenchFET®包裝:帶卷 (TR)FET 類型:N 和 P 溝道FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss):30V電流 - 連續漏極 (Id)(25° C 時):2.5A,1.8A不同?Id、Vgs 時的?Rds On(最大值):105 毫歐 @ 2.5A,10V不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250µA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):3.2nC @ 5V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):-功率 - 最大值:1.15W安裝類型:表面貼裝封裝:6-TSOP(0.065",1.65mm 寬)供應商器件封裝:6-TSOP