SI3443DVTR
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SI3443DVTR參數(shù)：MOSFET P-CH 20V 4.4A 6-TSOP

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
PCNObsolescence： Gen8Rev208/Jul/2011
標(biāo)準(zhǔn)包裝：1
系列：HEXFET®
包裝：剪切帶(CT)
FET類型：MOSFETP通道，金屬氧化物
FET功能：邏輯電平柵極，2.5V驅(qū)動
漏源極電壓(Vdss)：20V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：4.4A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：65毫歐@4.4A，4.5V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：1.5V@250µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：15nC@4.5V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：1079pF@10V
功率-最大值：2W
安裝類型：表面貼裝
封裝：6-LSOP（0.063"，1.60mm寬）
供應(yīng)商器件封裝：Micro6?（TSOP-6）