SI3430DV-T1-E3
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SI3430DV-T1-E3參數：MOSFET N-CH 100V 1.8A 6-TSOP

類別：分立半導體產品-FET - 單
標準包裝：3,000
系列：-
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss)：100V
電流 - 連續漏極 (Id)（25° C 時）：1.8A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：170 毫歐 @ 2.4A，10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 250µA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：6.6nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：-
功率 - 最大值：1.14W
安裝類型：表面貼裝
封裝：6-TSOP（0.065"，1.65mm 寬）
供應商器件封裝：6-TSOP