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SI2312BDS-T1-E3參數：MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3
類別：分立半導體產品-FET - 單標準包裝：3,000系列：TrenchFET®包裝：帶卷 (TR)FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物FET 功能：邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss)：20V電流 - 連續漏極 (Id)（25° C 時）：3.9A不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：31 毫歐 @ 5A，4.5V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：850mV @ 250µA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：12nC @ 4.5V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：-功率 - 最大值：750mW安裝類型：表面貼裝封裝：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3供應商器件封裝：SOT-23-3（TO-236）
