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SI1433DH-T1-GE3參數(shù)：MOSFET P-CH 30V 1.9A SC70-6
類別：分立半導體產品-FET - 單標準包裝：3,000系列：TrenchFET®包裝：帶卷 (TR)FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物FET 功能：邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss)：30V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：1.9A不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：150 毫歐 @ 2.2A，10V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：3V @ 100µA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：5nC @ 4.5V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：-功率 - 最大值：950mW安裝類型：表面貼裝封裝：6-TSSOP，SC-88，SOT-363供應商器件封裝：SC-70-6
