SI1419DH-T1-E3
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SI1419DH-T1-E3參數(shù)：MOSFET P-CH 200V 300MA SC70-6

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000
系列：TrenchFET®
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 功能：邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss)：200V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：300mA
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：5 歐姆 @ 400mA，10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 100µA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：6.2nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：-
功率 - 最大值：1W
安裝類型：表面貼裝
封裝：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供應(yīng)商器件封裝：SC-70-6