SI1046R-T1-GE3
PDF資料下載

SI1046R-T1-GE3參數：MOSFET N-CH 20V 606MA SC75-3

類別：分立半導體產品-FET - 單
標準包裝：3,000
系列：-
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss)：20V
電流 - 連續漏極 (Id)（25° C 時）：-
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：420 毫歐 @ 606mA，4.5V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：950mV @ 250µA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：1.49nC @ 5V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：66pF @ 10V
功率 - 最大值：250mW
安裝類型：表面貼裝
封裝：SC-75A
供應商器件封裝：SC-75A