SI1021R-T1-GE3
PDF資料下載

SI1021R-T1-GE3參數：MOSFET P-CH 60V 190MA SC-75A

類別：分立半導體產品-FET - 單
標準包裝：3,000
系列：TrenchFET®
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 功能：邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss)：60V
電流 - 連續漏極 (Id)（25° C 時）：190mA
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：4 歐姆 @ 500mA，10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250µA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：1.7nC @ 15V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：23pF @ 25V
功率 - 最大值：250mW
安裝類型：表面貼裝
封裝：SC-75A
供應商器件封裝：SC-75A