SGB15N120
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SGB15N120參數：IGBT NPT 1200V 30A 198W TO263-3

類別：分立半導體產品-IGBT - 單路
標準包裝：1,000
系列：-
包裝：帶卷 (TR)
IGBT 類型：NPT
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：1200V
不同?Vge、Ic 時的?Vce(on)：3.6V @ 15V，15A
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：30A
Current - Collector Pulsed (Icm)：52A
功率 - 最大值：198W
Switching Energy：1.9mJ
輸入類型：標準
Gate Charge：130nC
Td (on/off) A 25°C：18ns/580ns
Test Condition：800V, 15A, 33 歐姆, 15V
反向恢復時間 (trr)：-
封裝：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
安裝類型：表面貼裝
供應商器件封裝：PG-TO263-3