SGB02N120
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SGB02N120參數(shù)：IGBT NPT 1200V 6.2A 62W TO263-3

類(lèi)別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-IGBT - 單路
標(biāo)準(zhǔn)包裝：1,000
系列：-
包裝：帶卷 (TR)
IGBT 類(lèi)型：NPT
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：1200V
不同?Vge、Ic 時(shí)的?Vce(on)：3.6V @ 15V，2A
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：6.2A
Current - Collector Pulsed (Icm)：9.6A
功率 - 最大值：62W
Switching Energy：220µJ
輸入類(lèi)型：標(biāo)準(zhǔn)
Gate Charge：11nC
Td (on/off) A 25°C：23ns/260ns
Test Condition：800V, 2A, 91 歐姆, 15V
反向恢復(fù)時(shí)間 (trr)：-
封裝：TO-263-3，D²Pak（2 引線(xiàn)+接片），TO-263AB
安裝類(lèi)型：表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝：PG-TO263-3