RW1A020ZPT2R
PDF資料下載

RW1A020ZPT2R參數：MOSFET P-CH 12V 2A WEMT6

類別：分立半導體產品-FET - 單
標準包裝：8,000
系列：-
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 功能：邏輯電平柵極，1.5V 驅動
漏源極電壓 (Vdss)：12V
電流 - 連續漏極 (Id)（25° C 時）：2A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：105 毫歐 @ 2A，4.5V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 1mA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：6.5nC @ 4.5V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：770pF @ 6V
功率 - 最大值：700mW
安裝類型：表面貼裝
封裝：SOT-563，SOT-666
供應商器件封裝：6-WEMT