RUM003N02T2L
PDF資料下載

RUM003N02T2L參數：MOSFET N-CH 20V 300MA VMT3

類別：分立半導體產品-FET - 單
產品培訓模塊： MOSFETs
標準包裝：8,000
系列：-
包裝：帶卷(TR)
FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物
FET功能：邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss)：20V
電流-連續漏極(Id)（25°C時）：300mA
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：1歐姆@300mA，4V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：1V@1mA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：-
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：25pF@10V
功率-最大值：150mW
安裝類型：表面貼裝
封裝：SOT-723
供應商器件封裝：VMT3