RSM002P03T2L
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RSM002P03T2L參數(shù)：MOSFET P-CH 30V 200MA VMT3

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
產(chǎn)品培訓(xùn)模塊： MOSFETs
產(chǎn)品目錄繪圖： 2SK3541,RSM,RTMSeriesVMT-3
特色產(chǎn)品： ECOMOS?SeriesMOSFETs
標準包裝：8,000
系列：-
包裝：帶卷(TR)
FET類型：MOSFETP通道，金屬氧化物
FET功能：邏輯電平柵極，4V驅(qū)動
漏源極電壓(Vdss)：30V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：200mA
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：1.4歐姆@200mA，10V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：2.5V@1mA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：-
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：30pF@10V
功率-最大值：150mW
安裝類型：表面貼裝
封裝：SOT-723
供應(yīng)商器件封裝：VMT3