RSJ650N10TL參數(shù)：MOSFET N-CH 100V 65A LPTS
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單標(biāo)準(zhǔn)包裝：1,000系列：-包裝：帶卷 (TR)FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物FET 功能：邏輯電平柵極，4V 驅(qū)動漏源極電壓 (Vdss)：100V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：65A不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：9.1 毫歐 @ 32.5A，10V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 1mA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：260nC @ 10V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：10780pF @ 25V功率 - 最大值：100W安裝類型：表面貼裝封裝：SC-83供應(yīng)商器件封裝：LPTS
