RQ1A060ZPTR參數(shù)：MOSFET P-CH 12V 6A TSMT8
類別：分立半導體產(chǎn)品-FET - 單標準包裝：3,000系列：-包裝：帶卷 (TR)FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物FET 功能：邏輯電平柵極，1.5V 驅(qū)動漏源極電壓 (Vdss)：12V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：6A不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：23 毫歐 @ 6A，4.5V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 1mA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：34nC @ 4.5V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：2800pF @ 6V功率 - 最大值：1.5W安裝類型：表面貼裝封裝：TSMT8供應(yīng)商器件封裝：TSMT8
