RJP020N06T100參數(shù)：MOSFET N-CH 60V 2A SOT-89
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品培訓(xùn)模塊： MOSFETs產(chǎn)品目錄繪圖： xT100SeriesSOT-89標(biāo)準(zhǔn)包裝：1,000系列：-包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：標(biāo)準(zhǔn)漏源極電壓(Vdss)：60V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：2A不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：240毫歐@2A，4.5V不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：1.5V@1mA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：10nC@4V不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：160pF@10V功率-最大值：500mW安裝類型：表面貼裝封裝：TO-243AA供應(yīng)商器件封裝：MPT3
