RJK1001DPN-E0#T2參數(shù)：MOSFET N-CH 100V 80A TO220
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單標(biāo)準(zhǔn)包裝：1系列：-包裝：*FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物FET 功能：邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss)：100V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：80A不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：5.5 毫歐 @ 40A，10V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：-不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：147nC @ 10V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：10000pF @ 10V功率 - 最大值：200W安裝類型：*封裝：*供應(yīng)商器件封裝：*
