RDN100N20
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RDN100N20參數(shù)：MOSFET N-CH 200V 10A TO-220FN

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
產(chǎn)品目錄繪圖： TO-220FM,TO-220FN
特色產(chǎn)品： ECOMOS?SeriesMOSFETs
標(biāo)準(zhǔn)包裝：500
系列：-
包裝：散裝
FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物
FET功能：標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓(Vdss)：200V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：10A
不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：360毫歐@5A，10V
不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：4V@1mA
不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：30nC@10V
不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：543pF@10V
功率-最大值：35W
安裝類型：通孔
封裝：TO-220-3整包
供應(yīng)商器件封裝：TO-220FN