PSMN6R0-30YLB,115
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PSMN6R0-30YLB,115參數(shù)：MOSFET N-CH 30V LFPAK

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
標(biāo)準(zhǔn)包裝：1,500
系列：-
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss)：30V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：71A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：6.5 毫歐 @ 20A，10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：1.95V @ 1mA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：19nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：1088pF @ 15V
功率 - 最大值：58W
安裝類型：表面貼裝
封裝：SC-100，SOT-669，4-LFPAK
供應(yīng)商器件封裝：LFPAK，Power-SO8