PSMN2R8-40BS,118
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PSMN2R8-40BS,118參數(shù)：MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK

類(lèi)別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
標(biāo)準(zhǔn)包裝：800
系列：-
包裝：帶卷 (TR)
FET 類(lèi)型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓 (Vdss)：40V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)）：100A
不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：2.9 毫歐 @ 10A，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 1mA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：71nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：4491pF @ 20V
功率 - 最大值：211W
安裝類(lèi)型：表面貼裝
封裝：TO-263-3，D²Pak（2 引線(xiàn)+接片），TO-263AB
供應(yīng)商器件封裝：D2PAK