PSMN1R6-30BL,118
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PSMN1R6-30BL,118參數(shù)：MOSFET N CH 30V 100A D2PAK

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
標(biāo)準(zhǔn)包裝：800
系列：-
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss)：30V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：100A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：1.9 毫歐 @ 25A，10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2.15V @ 1mA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：212nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：12493pF @ 15V
功率 - 最大值：306W
安裝類型：表面貼裝
封裝：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
供應(yīng)商器件封裝：D2PAK