PSMN023-80LS,115
PDF資料下載

PSMN023-80LS,115參數：MOSFET N-CH QFN3333

類別：分立半導體產品-FET - 單
標準包裝：1,400
系列：-
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：標準
漏源極電壓 (Vdss)：80V
電流 - 連續漏極 (Id)（25° C 時）：34A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：23 毫歐 @ 10A，10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 1mA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：21nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：1295pF @ 40V
功率 - 最大值：65W
安裝類型：表面貼裝
封裝：8-VDFN 裸露焊盤
供應商器件封裝：8-DFN3333（3.3x3.3）