PMWD19UN,518
PDF資料下載

PMWD19UN,518參數(shù)：MOSFET N-CH TRENCH DL 30V 8TSSOP

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 陣列
標(biāo)準(zhǔn)包裝：2,500
系列：TrenchMOS™
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：2 個 N 溝道（雙）
FET 功能：邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss)：30V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：5.6A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：23 毫歐 @ 3.5A，4.5V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：700mV @ 1mA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：28nC @ 5V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：1478pF @ 10V
功率 - 最大值：2.3W
安裝類型：表面貼裝
封裝：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）
供應(yīng)商器件封裝：8-TSSOP