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PMPB29XNE,115參數：MOSFET N-CH 30V SGL SOT1220
類別：分立半導體產品-FET - 單標準包裝：3,000系列：-包裝：帶卷 (TR)FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物FET 功能：邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss)：30V電流 - 連續漏極 (Id)（25° C 時）：5A不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：33 毫歐 @ 5A，4.5V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：900mV @ 250µA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：18.6nC @ 4.5V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：1150pF @ 15V功率 - 最大值：1.7W安裝類型：表面貼裝封裝：6-UDFN 裸露焊盤供應商器件封裝：6-DFN2020MD (2x2)
