PEMD18,115
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PEMD18,115參數(shù)：TRANS PREBIASED DUAL SOT666

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-晶體管(BJT) - 陣列﹐預(yù)偏壓式
標(biāo)準(zhǔn)包裝：4,000
系列：-
包裝：帶卷 (TR)
晶體管類型：1 個(gè) NPN，1 個(gè) PNP - 預(yù)偏壓式（雙）
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：100mA
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：50V
電阻器 - 基底 (R1) (Ω)：4.7k
電阻器 - 發(fā)射極基底 (R2) (Ω)：10k
不同?Ic、Vce?時(shí)的 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：50 @ 10mA，5V
不同?Ib、Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）：100mV @ 500µA，10mA
電流 - 集電極截止（最大值）：1µA
頻率 - 躍遷：-
功率 - 最大值：300mW
安裝類型：表面貼裝
封裝：SOT-563，SOT-666
供應(yīng)商器件封裝：SOT-666