PEMB9,115
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PEMB9,115參數：TRANSISTOR PNP/PNP RES SOT666

類別：分立半導體產品-晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式
特色產品： NXP-I2CInterface
標準包裝：4,000
系列：-
包裝：帶卷(TR)
晶體管類型：2個PNP預偏壓式（雙）
電流-集電極(Ic)（最大值）：100mA
電壓-集射極擊穿（最大值）：50V
電阻器-基底(R1)(Ω)：10k
電阻器-發射極基底(R2)(Ω)：47k
不同?Ic、Vce?時的DC電流增益(hFE)（最小值）：100@5mA，5V
不同?Ib、Ic時的?Vce飽和值（最大值）：100mV@250µA，5mA
電流-集電極截止（最大值）：1µA
頻率-躍遷：-
功率-最大值：300mW
安裝類型：表面貼裝
封裝：SOT-563，SOT-666
供應商器件封裝：SOT-666