PD20010-E
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PD20010-E參數(shù)：TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-RF FET
其它有關(guān)文件： PD20010-EViewAllSpecifications
標(biāo)準包裝：50
系列：-
包裝：管件
晶體管類型：LDMOS
頻率：2GHz
增益：11dB
電壓-測試：13.6V
額定電流：5A
噪聲系數(shù)：-
電流-測試：150mA
功率-輸出：10W
電壓-額定：40V
封裝：PowerSO-10RF裸露底部焊盤（2條成形引線）
供應(yīng)商器件封裝：PowerSO-10RF（成形引線）