PD20010-E參數：TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF
類別：分立半導體產品-RF FET其它有關文件： PD20010-EViewAllSpecifications標準包裝：50系列：-包裝：管件晶體管類型：LDMOS頻率：2GHz增益：11dB電壓-測試：13.6V額定電流：5A噪聲系數：-電流-測試：150mA功率-輸出：10W電壓-額定：40V封裝：PowerSO-10RF裸露底部焊盤（2條成形引線）供應商器件封裝：PowerSO-10RF（成形引線）
<delect id="28oao"></delect>
