NX3020NAKV,115
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NX3020NAKV,115參數：MOSFET N-CH 30V 200MA SOT666

類別：分立半導體產品-FET - 陣列
標準包裝：4,000
系列：-
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：2 個 N 溝道（雙）
FET 功能：邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss)：30V
電流 - 連續漏極 (Id)（25° C 時）：200mA
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：4.5 歐姆 @ 100mA，10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250µA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：0.44nC @ 4.5V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：48pF @ 10V
功率 - 最大值：260mW
安裝類型：表面貼裝
封裝：SOT-563，SOT-666
供應商器件封裝：SOT-666