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NVTR01P02LT1G參數：MOSFET P-CH 20V 1.3A SOT23

類別：分立半導體產品-FET - 單
標準包裝：3,000
系列：-
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 功能：邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss)：20V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：1.3A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：220 毫歐 @ 750mA，4.5V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：1.25V @ 250µA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：3.1nC @ 4V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：225pF @ 5V
功率 - 最大值：400mW
安裝類型：表面貼裝
封裝：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供應商器件封裝：SOT-23-3