NVMFD5877NLT1G
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NVMFD5877NLT1G參數(shù)：MOSFET N-CH 60V 17A 8SOIC

類別：分立半導體產品-FET - 陣列
標準包裝：1,500
系列：-
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：2 個 N 溝道（雙）
FET 功能：邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss)：60V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：6A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：39 毫歐 @ 7.5A，10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250µA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：20nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：540pF @ 25V
功率 - 最大值：3.2W
安裝類型：表面貼裝
封裝：8-PowerTDFN
供應商器件封裝：8-DFN（5x6）