<table id="4gq42"></table>
NVB25P06T4G參數(shù)：MOSFET P-CH 60V 27.5A D2PAK
類(lèi)別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單標(biāo)準(zhǔn)包裝：800系列：-包裝：帶卷 (TR)FET 類(lèi)型：MOSFET P 通道，金屬氧化物FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)漏源極電壓 (Vdss)：60V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)）：27.5A不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：82 毫歐 @ 25A，10V不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250µA不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：50nC @ 10V不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：1680pF @ 25V功率 - 最大值：120W安裝類(lèi)型：表面貼裝封裝：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB供應(yīng)商器件封裝：D2PAK
