NTZS3151PT1G
PDF資料下載

NTZS3151PT1G參數(shù)：MOSFET P-CH 20V 860MA SOT-563

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
標準包裝：4,000
系列：-
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 功能：邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss)：20V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：860mA
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：150 毫歐 @ 950mA，4.5V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250µA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：5.6nC @ 4.5V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：458pF @ 16V
功率 - 最大值：170mW
安裝類型：表面貼裝
封裝：SOT-563，SOT-666
供應(yīng)商器件封裝：SOT-563