NTTFS5116PLTAG參數：MOSFET PWR P-CH 60V 5.7A 8-WDFN
類別：分立半導體產品-FET - 單標準包裝：1,500系列：-包裝：帶卷 (TR)FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物FET 功能：邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss)：60V電流 - 連續漏極 (Id)（25° C 時）：5.7A不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：52 毫歐 @ 6A，10V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250µA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：25nC @ 10V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：1258pF @ 30V功率 - 最大值：3.2W安裝類型：表面貼裝封裝：8-WDFN 裸露焊盤供應商器件封裝：8-WDFN（3.3x3.3）
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