NTTD1P02R2
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NTTD1P02R2參數(shù)：MOSFET P-CHAN DUAL 20V 8MICRO

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 陣列
產(chǎn)品變化通告： ProductObsolescence06/Oct/2006
標(biāo)準(zhǔn)包裝：4,000
系列：-
包裝：帶卷(TR)
FET類型：2個P溝道（雙）
FET功能：邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss)：20V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：1.45A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：160毫歐@1.45A，4.5V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：1.4V@250µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：10nC@4.5V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：265pF@16V
功率-最大值：500mW
安裝類型：表面貼裝
封裝：8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm寬）
供應(yīng)商器件封裝：Micro8?